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Temperature- and Bias-dependence of magnetoresistance in doped manganite thin film trilayer junctions

机译:掺杂亚锰酸盐中磁电阻的温度和偏差依赖性   薄膜三层结

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摘要

Thin film trilayer junction of La$%_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$ - SrTiO$_3$ -La$_{0.67}$Sr$_{0.33}$MnO$_3$ shows a factor of 9.7 change in resistance, in amagnetic field around 100 Oe at 14K. The junction magnetoresistance is bias andtemperature dependent. The energy scales associated with bias and temperaturedependence are an order of magnitude apart. The same set of energies alsodetermine the bias and temperature dependence of the differential conductanceof the junction. We discuss these results in terms of metallic clusterinclusions at the junction-barrier interface.
机译:La $%_ {0.67} $ Sr $ _ {{0.33} $ MnO $ _3 $-SrTiO $ _3 $ -La $ _ {0.67} $ Sr $ _ {0.33} $ MnO $ _3 $的薄膜三层结显示在14 K处100 Oe左右的磁场中,电阻变化的系数9.7。结磁阻与偏置和温度有关。与偏置和温度相关性相关的能级相差一个数量级。同一组能量还确定结的差分电导的偏置和温度依赖性。我们根据结-势垒界面处的金属簇夹杂物来讨论这些结果。

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